一种半导体器件的制造方法

本申请提供一种半导体器件的制造方法，衬底上依次层叠有埋氧层和沟道层，形成沟道层上的栅极，以及与沟道层的一端接触的源极，以及与沟道层的另一端接触的漏极。沟道层在沿衬底的表面的第一方向上的第一尺寸大于栅极沿第一方向的第二尺寸，第一尺寸与第二尺寸的差值与第二尺寸负相关，第一方向为源极和漏极的连线方向，也就是说，沟道层的长度大于栅极的长度，且栅极的长度越大，二者的长度差值越小，使沟道层和栅极越接近，这样随着栅极长度的降低，沟道层的降低幅度较小，利于抑制短沟道效应，而针对栅极长度较大的情况，沟道层与栅极的长度接近，避免沟道层过长导致的串联电阻过大的问题，有效提供短沟道效应的抑制能力和较大的开态电流。