高压LDMOS器件及制备工艺

本申请提供的一种高压LDMOS器件及制备工艺。该高压LDMOS器件的制备工艺包括提供覆盖有介质层的衬底，衬底内设有第一阱区和第二阱区，第一阱区包括体区和源区，第二阱区包括漏区，第二阱区上方具有场氧；第一阱区上方靠近第二阱区的一侧设有栅氧化层，多晶硅层覆盖栅氧化层且至少部分延伸至场氧的表面；在介质层上一次性形成第一开孔和第二开孔，第一开孔暴露出预设区域的场氧，经第一开孔进行至少两次离子注入，以在第二阱区中形成第一注入层和第二注入层；在第二开孔内形成导电柱用于引出电极。该制备工艺有利于简化工艺，提高生产效率以及降低成本。