一种极化栅结构的横向功率电子器件及其制备方法

本发明提供了一种极化栅结构的横向功率电子器件及其制备方法，涉及半导体设计技术领域。所述电子器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、双沟道层、钝化层和电极层，所述双沟道层包括自下而上依次设计的下沟道层、铝镓氮势垒子层、上沟道层和势垒层，所述电极层包括阳极层和阴极层。所述铝镓氮势垒子层表面由极化效应产生的负电荷耗尽上沟道层的二维电子气，使电流主要流经下沟道层。在硬开关过程中，高电场与高电流密度区域被限制在下沟道层，生成的热电子无法到达钝化层与势垒层界面，显著抑制界面陷阱俘获和缺陷生成，从根本上解决动态导通电阻退化问题。