一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法

本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该HEMT器件包括从下而上设置的外延基片、凹型的SiN钝化层、栅介质层和栅极，在外延基片内设置有与SiN钝化层接触的源极和漏极，并在源极和漏极上开设有金属互连层，所述栅介质层包括第一栅介质层和第二栅介质层，所述第一栅介质层为氮化物薄膜，第二栅介质层为掺钪氮化铝铁电层、铌酸锂铁电层或掺锆氧化铪铁电层中的一种或多种。本发明通过引入掺钪氮化铝、铌酸锂等多元铁电材料作为第二栅介质层，有效改善了传统HfZrO铁电层在高温下极化强度衰减严重的问题，大幅提升了器件在高温工况下的稳定性和可靠性。