一种基于阵列p-GaN层内嵌MIS的栅极结构和半导体功率器件

一种基于阵列p‑GaN层内嵌MIS的栅极结构和半导体功率器件，所述栅极结构设置于AlGaN垒势层的表面，包含沿横向依次设置于AlGaN垒势层表面的连续p‑GaN层、栅极下沉金属和间隔p‑GaN层；连续p‑GaN层接近源级，间隔p‑GaN层接近漏极；其中间隔p‑GaN层被栅极下沉金属表面的凸起沿纵向等距间隔为多段；所述半导体功率器件包含自上而下依次覆盖的衬底、成核层、渐变Al组分的AlGaN过渡层、GaN缓冲层、AlGaN背势垒层、UID GaN层、AlGaN势垒层，AlGaN垒势层上安装有所述栅极结构；该栅极结构减小了栅漏耦合势垒降低效应导致的动态阈值电压漂移，抑制了背栅效应引起的开关过程中动态导通电阻增大问题；优化了栅极下方的电场集中问题，提高了器件耐压性，降低了栅极漏电流。