一种半导体器件和制备方法

本申请提供了的半导体器件，在生长源极结构(150)和漏极结构(160)的时候，是对第一次外延生长的结构进行刻蚀，然后在刻蚀后的侧壁上继续进行第二次外延生长最终才获得源极结构(150)和漏极结构(160)。通过对第一次外延生长的第一外延层(140)进行刻蚀，一方面可以获得光滑的侧壁，另一方面使得第二次外延生长时可以在刻蚀后形成的第一结构(141)的侧壁上外延生长，从而使得最终生长的源极和漏极内部不会出现空洞等其他缺陷，保证了源极和漏极的生长质量，从而保证整个器件的特性。