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基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片

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§ Ⅰ

개요

발명자

翟永彪; 陈沛杰; 韩素婷; 吕子玉; 周晔

IPC 분류

H10D 30/60 (2025.01)H10D 30/01 (2025.01)

本发明公开了一种基于二维范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管的感存算一体器件及其设计和制备方法、仿生视觉神经形态芯片。器件包括依次堆叠的栅电极、阻挡层、铁电层、隧穿层、二维半导体层及源漏电极;二维半导体层具有光电响应特性,隧穿层被配置为使二维半导体层中光生载流子隧穿至铁电层;铁电层的极化方向朝向二维半导体层时,铁电层具有负光电导效应;铁电层的极化方向背离二维半导体层时,铁电层具有正光电导效应。本发明通过构建范德华异质结构的浮栅型铁电场效应晶体管,实现铁电、介电和半导体特性的协同调控,解决了材料兼容性和工艺集成难题,且通过光电‑铁电多场耦合机制,在单一器件中实现了双向光信号的传感、存储和计算功能的有机融合。