一种氧化镓功率器件及其制造方法

本发明提供了一种氧化镓功率器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括：漏极、n掺杂氧化镓衬底和n型氧化镓漂移区；漂移区包括第一n型氧化镓漂移区、第二n型氧化镓漂移区和鳍状沟道；鳍状沟道两侧依次布置有高k栅介质层、栅极、绝缘层和源极；绝缘层中间设置n型重掺杂顶部接触区；在第一方向上，第二n型氧化镓漂移区、鳍状沟道和n型重掺杂顶部接触区依次叠层设置；高k栅介质层最大高度与鳍状沟道最大高度相等，栅极最大高度等于鳍状沟道最大高度与高k栅介质层厚度差值；第一n型氧化镓漂移区最大高度与第二n型氧化镓漂移区最大高度相等；在第二方向上的第二n型氧化镓漂移区宽度大于鳍状沟道宽度。