半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆

本申请实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，包括第一表面、第二表面、阱区、第一区域、第二区域、第三区域、第四区域和沟槽，第一区域设置为第一导电类型，阱区设置为第二导电类型；第二区域设置为第一导电类型且位于沟槽的底部，第三区域设置为第一导电类型且位于第二区域远离沟槽的一侧，第三区域和第二区域接触；第四区域设置为第二导电类型，且在垂直于第一表面指向第二表面的方向上，第四区域位于第三区域的一侧；第一导电类型和第二导电类型不同。本申请实施例的技术方案，可以减小半导体器件的导通电阻，缩减元胞尺寸，提高半导体器件的响应速度和可靠性。