具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法

本申请案涉及具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成所述MOS晶体管的方法。半导体装置(100)包含折叠漏极扩展金属氧化物半导体DEMOS晶体管(106)。所述半导体装置(100)具有包含带有波纹顶表面(116)的半导体材料(104)的衬底(102)。所述波纹顶表面(116)具有上部(118)、下部(120)、从所述上部(118)延伸到所述下部(120)的第一横向部分(122)及从所述上部(118)延伸到所述下部(120)的第二横向部分(124)。所述折叠DEMOS晶体管(106)包含所述半导体材料(104)中的主体(108)、所述主体(108)之上的栅极电介质层(128)上的栅极(130)、接触所述主体(108)的漂移区(112)及场板电介质层(126)上的场板(132)，其全都沿着所述波纹顶表面(116)的所述上部(118)、所述第一横向部分(122)、所述第二横向部分(124)及所述下部(120)连续地延伸。公开形成所述折叠DEMOS晶体管(106)的方法。