超结半导体装置及其制造方法

本申请涉及超结半导体装置及其制造方法。该超结半导体装置，包括：基板；有源单元，所述有源单元设置在所述基板上；边缘终止区域，所述边缘终止区域被配置成围绕所述有源单元；外围区域，所述外围区域被配置成围绕所述有源单元并且设置在所述有源区域与所述边缘终止区域之间；第一导电型柱和第二导电型柱，所述第一导电型柱和所述第二导电型柱交替地设置在所述有源单元、所述外围区域和所述边缘终止区域中；水平形状的第二导电型柱区域，所述水平形状的第二导电型柱区域设置在所述外围区域和所述边缘终止区域中的所述第二导电型柱上；以及第二导电型电荷共享区域，所述第二导电型电荷共享区域设置在所述水平形状的第二导电型柱区域上。