一种快速注入方法、超结MOSFET结构及其制备方法

一种快速注入方法、超结MOSFET结构及其制备方法，属于功率器件制备技术领域，包括：提供外延片；在衬底上构造超结结构；其中，所述超结结构包括下层超结层和上层超结层；所述下层超结层包括第二导电类型的下层介质柱区，所述下层介质柱区与下层超结层的上表面之间存在第一导电类型的外延区；所述上层超结层的构造包括如下步骤：在下层超结层上构造上层外延层；通过快速链式离子注入，在上层外延层中构造上层介质柱区；其中，所述快速链式离子注入的首次离子注入同时将上层外延层的底部与下层超结层中的外延区反型为第二导电类型。本申请通过同时反型上层外延层的底部与下层超结层中未反型的外延区，以减少注入次数，加快注入速度。