一种免外延的碳化硅一体化衬底及其制备方法

本发明提供一种免外延的碳化硅一体化衬底及其制备方法。所述碳化硅一体化衬底的结构为以下任意一种；层叠结构：由N掺杂碳化硅底层和N掺杂碳化硅顶层层叠构成，所述N掺杂碳化硅顶层的电阻率大于所述N掺杂碳化硅底层的电阻率；梯度结构：沿厚度方向N掺杂浓度呈梯度变化的碳化硅一体化衬底，使得碳化硅一体化衬底的电阻率沿厚度方向梯度变化；均匀结构：具有均匀N掺杂浓度的碳化硅一体化衬底，所述碳化硅一体化衬底的电阻率为0.1‑50Ω·cm。本发明提供的碳化硅一体化衬底可以同时满足衬底与外延层的复合电学性能，省去了下游外延工艺，避免了外延层生长时存在的问题，简化了工艺，降低了成本，提高了生产效率和成品良率。