具有场氧化物厚度过渡区的半导体管芯及生产该半导体管芯的方法

具有场氧化物厚度过渡区的半导体管芯及生产该半导体管芯的方法。一种方法，包括：在半导体晶片的第一主表面上形成第一氧化物层，第一氧化物层具有400nm或更小的厚度；在第一氧化物层上形成第二层；更改第二层的至少第一部分的蚀刻速率，使得蚀刻速率的水平分量(r1)大于第一氧化物层的蚀刻速率的垂直分量(r2)；使用各向同性蚀刻剂通过掩模中的开口蚀刻氧化物层，其中由于r1和r2之间的差异，在掩模下方的第一氧化物层的第一厚度过渡区被蚀刻为相对于第一主表面具有小于45度的锥度；在蚀刻之后，移除第二层并且然后形成与第一厚度过渡区相邻的栅极氧化物。