半导体结构及其形成方法

方法包括形成晶圆，该晶圆包括衬底、位于衬底上方的牺牲层和位于牺牲层上方的多层堆叠件。该方法还包括对多层堆叠件和牺牲层执行第一蚀刻工艺以形成图案化的多层堆叠件，用底部介电隔离层替换图案化的多层堆叠件中的牺牲层的部分，对图案化的多层堆叠件执行第二蚀刻工艺以形成源极/漏极凹槽，其中底部介电隔离层的表面暴露于源极/漏电凹槽，以及在源极/漏极凹槽中形成下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域。去除衬底以露出底部介电隔离层。去除底部介电隔离层的部分以形成背侧接触开口。在背侧接触开口中形成源极/漏极硅化物层。本公开的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。