CMOS器件及其制造方法

本发明提供一种CMOS器件及其制造方法，所述CMOS器件的制造方法中，先在第一区域和第二区域上形成第一栅介质层；然后，在第一栅介质层上形成第二栅介质层，第二栅介质层覆盖第一栅介质层，且第二栅介质层的厚度大于第一栅介质层的厚度；接着，对第一栅介质层和第二栅介质层进行热处理；接着，去除第二区域的第二栅介质层。由于第一栅介质层同时覆盖第一区域和第二区域，故第一区域的第一栅介质层和第二区域的第一栅介质层之间无晶界缺陷，从而可以避免出现漏电的问题。并且，第二栅介质层形成于第一栅介质层上，故在形成第二栅介质层的过程中，不会消耗半导体衬底，由此可以避免半导体衬底表面出现高度差，避免半导体衬底出现漏电的问题。