一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法

本发明公开了一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。其包括在同一硅基衬底上集成增强型GaN MOSFET与耗尽型GaN HEMT，通过金属互联层实现电极连接。制备方法包括外延生长、刻蚀处理、掺杂区制作、金属电极沉积及介质层与互联金属的制备。本申请能够显著减小Cascode器件面积，消除寄生参数，提升开关速度和功率密度，同时实现normally‑off特性，兼顾可靠性和驱动简易性，为高频/高功率应用提供优越解决方案。