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案件記録

具有高压、中压和低压晶体管的结构及其制作方法

発明有効
19請求項 · 3 独立
§ Ⅰ

案件概要

IPC分類

H10D 84/83 (2025.01)H10D 64/27 (2025.01)H10D 62/17 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)H10D 84/01 (2026.01)H10D 84/03 (2025.01)

本发明公开一种具有高压晶体管、中压晶体管和低压晶体管的结构及其制作方法,其中具有高压、中压和低压晶体管的结构包含一基底,基底包含一高压区、一中压区和一低压区,一高压晶体管设置于高压区,高压晶体管包含一第一栅极介电层埋入于基底,一第一栅极结构设置于第一栅极介电层上,一中压晶体管设置于中压区,中压晶体管包含一第二栅极介电层埋入于基底,一第二栅极结构设置于第二栅极介电层上,其中第二栅极结构的厚度大于第一栅极结构的厚度。

外部リソース