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案件記録
半导体器件
発明有効
20請求項 · 3 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
李广默; 李正韩; 金柄成; 朴志授; 千宽永
IPC分類
H10D 84/83 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)
一种半导体器件可以包括:衬底上的第一有源图案、第一有源图案上的沟道图案、在第一有源图案上在第一方向上延伸的栅电极、以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的主干结构。第一有源图案包括在第二方向上间隔开的第一区域和第二区域,第一有源图案包括与主干结构直接接触的第一有源侧壁、以及在第一方向上与第一有源侧壁间隔开的第二有源侧壁,并且第一有源侧壁和第二有源侧壁之间在第一方向上的距离随第一有源图案从第一区域向第二区域延伸而变化。
外部リソース