集成电路器件及其制造方法和生成集成电路布局图的方法

IC器件包括在半导体衬底的前侧中在第一方向上平行延伸的两个隔离结构、包括在隔离结构之间在第一方向上延伸的栅极和金属状限定(MD)段的堆叠CFET电路。每个栅极沿着第一方向从第一位置延伸至第二位置，并且MD段中的一个配置为电路的参考电压连接，并且从第一位置延伸至第三位置，第三位置比第二位置沿着第一方向更进一步。前侧导线和背侧导线在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且导电结构沿着垂直于第一方向和第二方向中的每个的第三方向从前侧导线延伸至背侧导线，并且包括位于第二位置和第三位置之间的MD段的部分。本公开的实施例还涉及集成电路器件及其制造方法和生成集成电路布局图的方法。