SOI衬底的制备方法

本发明所要解决的技术问题是，提供一种SOI衬底的制备方法，能低成本、高灵活性的控制顶层半导体层导电类型。为了解决上述问题，本发明提供了一种SOI衬底的制备方法，包括：提供器件衬底和支撑衬底；在所述器件衬底表面形成外延层；在所述外延层中形成剥离层；在所述支撑衬底和/或外延层的表面形成绝缘层；以所述绝缘层为中间层，将所述支撑衬底和器件衬底键合；从所述剥离层所在位置解离键合后的衬底，形成SOI衬底。采用上述方法制备的SOI衬底，可以根据最终SOI衬底对顶层半导体层的要求对外延层导电类型进行独立调节，不受器件衬底的导电类型限制。可以确保采用普通的器件衬底，辅以外延手段即可获得任意导电类型的顶层半导体层。