半导体结构

本发明公开一种半导体结构，包括一电阻器及一电容器。电容器包括一顶电极与一底电极。半导体结构还包括一基板、一第一阱区、至少2个掺杂区域、至少一栅极以及至少一氧化物层。基板作为电容器的底电极。第一阱区设置于基板中。掺杂区域设置于第一阱区中，其中掺杂区域是连接于地端。栅极设置于基板上，其中栅极作为电阻器，且作为电容器的顶电极。氧化物层设置于栅极与基板之间。