具有隔离器件区的半导体布置

公开了一种半导体布置。半导体布置包括具有第一表面（101）的半导体层（100）；形成在半导体层（100）中与第一表面（101）间隔开的第一掺杂类型的掩埋区（2）；从第一表面（101）延伸到掩埋区（2）并且包括第一掺杂类型的第一区的隔离栅格（3）；以及邻接掩埋区（2）并且通过隔离栅格（3）彼此隔离的第二掺杂类型的器件区（4）。