同步触发多指ESD保护器件

本公开涉及同步触发多指ESD保护器件。一种半导体器件，包括在半导体主体中形成的第一行掺杂阱，第一行掺杂阱包括：第一导电类型阱，在半导体主体的第一方向上与第二导电类型阱交替布置；第一接触焊盘和第二接触焊盘，放置在半导体主体的上表面上方；初级电互连网络，在第一接触焊盘与第二接触焊盘之间电耦合由来自第一行掺杂阱的一组第一导电类型阱和第二导电类型阱形成的半导体器件结构；以及次级电互连网络，其形成独立于初级电互连网络的节点，并且将第一行中的第一导电类型阱中的每一者电连接在一起。