一种灵敏度增强、实现紫外与压力共同监测的AlGaN/GaN薄膜式传感器

本发明公开了一种灵敏度增强、实现紫外与压力共同监测的AlGaN/GaN薄膜式传感器，该传感器包括沉积在硅衬底上表面的AlGaN/GaN基薄膜，硅衬底的下表面形成有方形凹槽，所述薄膜上与所述方形凹槽相对应的位置为传感器方形薄膜区域，所述方形薄膜区域四边的中心分别设置有HEMT晶体管，所述晶体管的外边缘超出方形薄膜区域50～100μm。本发明通过将四个有栅高电子迁移率晶体管分别置放于方形薄膜的四边的中心位置，减少因薄膜自身重力导致的2DEG浓度变化影响，使得在不外加气压的前提下输出电流增大，提高压力传感器的灵敏度，制备一种集高灵敏度压力传感器与紫外探测器于一体的AlGaN/GaN薄膜式传感器。