一种基于n-GaO/i-GaO/TeO异质结的高速高透明深紫外光电探测器及其制备方法

本发明公开了一种基于n‑GaO/i‑GaO/TeO异质结的高速高透明深紫外光电探测器及其制备方法，涉及宽禁带半导体深紫外光电探测器领域。其外延结构由下至上包括高透光衬底、TTO层、n‑GaO层、i‑GaO层、p型TeO层和ITO层；n‑GaO电荷传输层、i‑GaO吸光层和TeO能带调控层构成n‑i‑p异质结。本发明基于n‑i‑p异质结的独特能带排列，可为吸光层提供大的内建电场，无需施加外部偏压，即可快速将光生载流子扫出结区，实现光生电荷的高效收集；同时，本发明所使用的全材料均对可见光高度透明，即能实现探测器具备自驱动、高灵敏、快响应的光电性能的同时，兼顾视觉观察的独特价值，有利于未来实现智能透明电子系统的集成和生产。