一种锗硅键合型光电器件及制备方法

本发明公开一种锗硅键合型光电器件及制备方法，本发明光电器件至少包括锗硅键合衬底，所述锗硅键合衬底为在第一设定压力和第一设定温度下使用非金属快原子束轰击锗衬底和硅衬底形成，使其表面活化增强键合能力，所述光电器件的结构包括锗硅键合型PIN探测器，其结构包括但不限于锗硅键合衬底、有源区电极、第一背面电极、第一钝化接触层；所述光电器件还包括锗硅键合型硅漂移探测器，其结构包括但不限于锗硅键合衬底、漂移电极、集电电极、第二背面电极、第二钝化接触层。与传统的硅衬底或锗衬底的PIN探测器和硅漂移探测器相比，本发明的光电器件将锗的高能量分辨率和散射能力与硅的较低噪声和较高探测效率相结合，以实现更好的探测性能。