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기록
一种日盲紫外探测器及其制备方法
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
马培培; 王睿轩; 刘天霖; 刘远豪
IPC 분류
H10F 30/227 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)
本发明提供一种日盲紫外探测器及其制备方法,探测器自下而上包括外延衬底、GaO外延膜、欧姆接触电极和肖特基接触电极;肖特基接触电极由采用MXene材料的肖特基接触层和电极引出层构成,肖特基接触层与GaO外延膜形成肖特基势垒接触。制备方法包括:在衬底上气相外延生长GaO外延膜并清洗;通过磁控溅射与退火形成欧姆电极;采用MXene材料在GaO外延膜形成肖特基接触层,再在肖特基接触层上制备引出电极。本发明利用MXene/GaO异质结实现自供电工作,具有极低暗电流和静态功耗,同时兼具超高的响应度、快响应速度和强日盲紫外探测能力。