图像传感器及其制作方法

本发明提供了一种图像传感器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底包括像素区和逻辑区，在像素区内形成用于容纳垂直传输栅的沟槽；形成覆盖衬底上表面和沟槽的侧壁和底面的第一多晶硅层。本发明形成第一多晶硅层后，对位于沟槽的侧壁和底面的第一多晶硅层进行N型离子掺杂，形成掺杂预埋；再形成第二多晶硅层，第二多晶硅层填满沟槽，第一多晶硅层和第二多晶硅层构成多晶硅层。分两次形成多晶硅层，由于已经对第一多晶硅层进行N型离子掺杂，形成掺杂预埋；因此不需要引入额外的高温扩散制程就能实现垂直传输栅多晶硅层内部良好的掺杂从而保证垂直传输栅的电性效率；同时避免高温制程对像素区外的逻辑器件影响。