一种红外阵列芯片平面结的成结方法

一种红外阵列芯片平面结的成结方法，包括以下步骤：在半导体晶片上制备一层掩蔽层；通过光刻、腐蚀或刻蚀方法，在所述掩蔽层上形成网格阵列结构的扩散窗口，所述扩散窗口的中心距与光电二极管阵列像元要求的中心距一致；对制备有所述掩蔽层的半导体晶片进行反型掺杂扩散，在所述扩散窗口处形成反型区；采用化学腐蚀、机械抛光或化学机械抛光方法去除所述网格状掩蔽层结构，得到平面结光电二极管阵列芯片；本发明解决了扩散法与平面结无法兼容的技术难题；既保留扩散法掺杂均匀、晶格完整性好的优势，避免离子注入导致的材料损伤问题，确保器件高性能；又通过平面结结构消除台面带来的间隙不均与应力失衡问题，兼顾成品率与可靠性。