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案件記録
图像传感器及制造其的方法
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
金大训; 朴根亨; 吴东晙; 吴承宰
IPC分類
H10F 39/18 (2025.01)H10F 39/12 (2025.01)
图像传感器及制造其的方法被提供。一种图像传感器包括:深器件隔离图案,其位于衬底中并限定光电二极管区;浅器件隔离图案(STI),其填充从衬底的表面凹陷的第一浅沟槽,并且限定光电二极管区中的每一个中的有源区;第二浅沟槽,其位于有源区的对立侧上的STI中并暴露有源区的对立侧表面的部分;传输栅极,其位于有源区的上表面上和由第二浅沟槽暴露的对立侧表面上;浮置扩散区,其在有源区中;以及栅极间隔物,其在传输栅极的侧表面上。栅极间隔物的一部分可以在第二浅沟槽中,并且栅极间隔物的该部分的下端可以在衬底的第一表面和第二表面之间。
外部リソース