一种异质结电池制备工艺

本发明公开了一种异质结电池制备工艺，包括以下步骤：S1:在硅片的非晶硅沉积层表面镀覆TCO沉积层；S2：在TCO沉积层表面涂覆成膜液，所述成膜液的组分包括导电微粒和成膜剂；S3：干燥成膜液，得过渡膜；S4：将导电浆料涂覆到S3所得硅片表面并覆盖所述过渡膜；S5：对S4所得硅片热固化处理，同时除去过渡膜中的成膜剂；所述导电微粒的热膨胀系数为10×10~18×10K，所述导电微粒的电导率大于TCO沉积层的电导率。TCO沉积层和银包铜微粒间的导电微粒有利于提高异质结电池的填充因子和光电转换效率；在温度波动较大的环境中使用时，栅线和TCO沉积层的界面不易出现微裂纹。