一种空穴重掺杂InSb光电二极管的制备方法

一种空穴重掺杂InSb光电二极管的制备方法，涉及半导体工艺技术领域，具体包括以下步骤：将表面处理后的InSb晶圆进行Be离子注入阻挡层沉积，将已沉积阻挡层的InSb晶圆置于离子注入机中，通过设置注入能量、注入剂量和偏转角度的参数对InSb晶圆进行注入，得到空穴重掺杂InSb，通过氢氟酸腐蚀去除InSb晶圆表面注入的阻挡层，再进行沉积退火保护膜后置于高温退火炉中退火，通过腐蚀去除表面的退火保护膜、进行表面乳酸腐蚀去除损伤层，最后InSb晶圆通过台面光刻和刻蚀、表面钝化、窗口光刻和刻蚀、电极光刻和剥离的工艺制备得到光电二极管的焦平面阵列；本发明实现电极与InSb良好的欧姆接触，降低二极管的串联电阻，并具有更好的耗尽区分布。