一种TBC电池半片钝化方法

本发明中公开了一种TBC电池半片钝化方法，包括如下步骤：S10：对交叉钝化背接触电池进行低温制绒，对掺硼P+poly层与掺磷N+poly层的相连区域进行刻蚀，形成GAP区；S11：对步骤S10得到的半导体基体沿中心进行切割，得到半片电池。S12：半片电池上沉积双面AlO形成正面AlO层和背面AlO层；S13：在半片电池的背面沉积形成SiNx层，得到镀膜后的电池片；S14：步骤S13的镀膜后的电池片采用丝网印刷和烧结的方式制备背面P区和N区的金属电极。本发明通过提前切割和修复，避免成品电池在组件焊接前直接切割导致的组件功率损失和可靠性的影响。