背接触电池的制备方法及光伏组件

本发明涉及光伏电池技术领域，公开了一种背接触电池的制备方法及光伏组件。本发明中，由于在基底的第一表面形成半导体掺杂层的过程中，会同时对基底的第二表面也产生掺杂的影响，本申请通过在第一表面生成第一区和第二区的掺杂层和掺杂源层的过程中，分步地将第二表面的生成的半导体掺杂层和掺杂源层进行去除，从湿法工艺的角度，有利于将TOPCon电池制备过程中的湿法工艺直接用于TBC电池制备过程中的湿法工艺，大大提升了TOPCon车间升级为TBC工艺的可行性，加速TBC电池的商业化进程。