一种背接触太阳能电池及其制备方法

本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该背接触太阳能电池，包括：硅基体，硅基体背面交替排列有若干第一掺杂区、若干第二掺杂区和若干边缘掺杂区，边缘掺杂区包括第一边缘区域和第二边缘区域；第一边缘区域位于第一掺杂区和第二边缘区域之间；隧穿钝化层设置于第一掺杂区；第一氢化非晶硅层设置于第二掺杂区，且从第二掺杂区延伸至第二边缘区域和第一边缘区域；掺杂多晶硅层设置于隧穿钝化层外侧，且从第一掺杂区延伸至第一氢化非晶硅层外侧对应于第一边缘区域的部分；第一掺杂含硅薄膜设置于第一氢化非晶硅层外侧。该实施方式可以省略隔离区，提升钝化效果。