一种具有超薄本征非晶硅的TOPcon电池结构及制备方法

本发明公开了一种具有超薄本征非晶硅的TOPcon电池结构及制备方法，涉及电池制备技术领域，电池结构包括硅基底，硅基底正面由内向外依次层叠有超薄本征非晶硅层、氧化铝膜层和第一氮化硅膜层，硅基底背面由内向外依次层叠有隧穿氧化层、掺杂多晶硅层和第二氮化硅膜层，第一氮化硅膜层和第二氮化硅膜层表面分别设有金属栅线，隧穿氧化层为二氧化硅层。本发明引入一层超薄本征非晶硅层，兼具钝化与接触功能，能够降低接触电阻，提升填充因子和效率，与传统技术相比，在RCA清洗与ALD沉积之间新增一道非晶硅沉积工序，易在现有产线基础上实施，具有较好的应用前景。