LED芯片组件及其制作方法

本发明涉及LED芯片组件及其制作方法，本申请通过在芯片键合之前使用蚀刻加金属蒸镀的方式将P型欧姆接触金属层嵌入外延层，使其形成欧姆接触。在转移后使用套刻蚀刻的方式将该P型欧姆接触金属层引入芯粒表层的方式进行芯片制作，从而增加了发光层的出光面积，对于整体芯粒亮度有着较大的提升；另外，由于氧化物层的蒸镀，可将外延片与金属包裹完好，使得超平坦化难度较小，去衬底后融合也间接将金属与外延片融合完毕，缩短了作业流程。