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기록

发光二极管芯片及其制备方法

발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

刘小亮; 林振华; 王薇; 崔伟豪; 芮哲; 马国强; 陈沛然; 魏柏林; 尹灵峰

IPC 분류

H10H 20/814 (2025.01)H10H 20/831 (2025.01)H10H 20/841 (2025.01)H10H 20/857 (2025.01)H10H 20/01 (2025.01)

本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法,属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括外延层、分布式布拉格反射层、第一一次电极和第二一次电极;外延层包括依次叠设的第一半导体层、有源层和第二半导体层;分布式布拉格反射层叠设在外延层的一侧,分布式布拉格反射层具有第一电极孔和第二电极孔;第一一次电极贯穿第一电极孔与第一半导体层电性连接,第二一次电极贯穿第二电极孔与第二半导体层电性连接。本公开可以有效的降低制备成本。