制造光子器件的方法

本描述涉及一种制造光子器件的方法，该方法包括以下步骤：提供包括被(Al,In,Ga)N/(Al,In,Ga)N台面覆盖的基底衬底的结构，第一台面是完全多孔化的并具有被保护层覆盖的侧壁，第二台面是非多孔化的，以及第三台面包括多孔化的侧壁和非多孔化的中心部分；在第一台面、第二台面和第三台面上同时外延地生长包括基于InGaN的量子阱的有源结构，以分别形成在第一波长处发射的第一有源结构、在第二波长处发射的第二有源结构，以及在第三波长处发射的第三有源结构。