一种有机-无机范德华异质结场效应晶体管及其制备方法

本发明公开了一种有机‑无机范德华异质结场效应晶体管及其制备方法，有机‑无机范德华异质结场效应晶体管包括：基底、介电层、有源层、源极和漏极，基底、介电层和有源层平行设置且从下至上沿竖直方向连接，源极和漏极平行设置并连接在有源层的上表面，其中，有源层为二维超薄范德华异质结，二维超薄范德华异质结为n型半导体二维单晶层和其上放置的p型半导体二维单晶层。本发明有机‑无机范德华异质结场效应晶体管的电子迁移率高达118.42cmVs，空穴迁移率为2.3cmVs，开关比最高达到10。在光电探测性能方面响应度达到68312.78A/W，响应速度为33/27ms，比探测率高达1.05×10Jones。