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기록

一种基于稀土掺杂反铁磁的垂直各向异性磁存储器

발명유효
2조회수
8청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

占智超; 舒新愉; 周铁军; 卫鸣璋

IPC 분류

H10N 50/85 (2023.01)H10N 50/20 (2023.01)H10N 50/10 (2023.01)H10N 52/85 (2023.01)H10N 52/00 (2023.01)

本发明涉及一种基于稀土掺杂反铁磁的垂直各向异性磁存储器,包括薄膜结构,所述薄膜结构从下至上依次包括:缓冲层:重金属层:垂直磁各向异性层:稀土掺杂反铁磁层和保护层,本发明通过在共线反铁磁中掺入稀土元素的方式改变磁织构以打破体系对称性,并利用自旋轨道力矩,实现了在无外场辅助的状态下仅依靠电流驱动具有垂直磁各向异性的存储器件的磁性状态翻转,这一方法为低功耗、高密度自旋存储技术提供了新的实现路径,具备良好的应用前景,未来有望推动新型磁性存储器件的实际开发与应用。