与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法及其忆阻器应用

本发明提供了一种与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法及其忆阻器应用。本发明所提供的与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法包括：在Si衬底上生长W底电极层；在W底电极层上通过钪靶和铝靶作为溅射靶材，利用直流溅射和高能量射频溅射法生长AlScN薄膜；在AlScN薄膜上生长W顶电极层。本发明首次在CMOS工艺标准W金属电极上成功生长高质量铁电AlScN薄膜，并且与传统铁电忆阻器相比具有更优异的性能，具备多级存储能力，其优异的电学性能与类脑神经突触具有很高的相似性，性能表现良好，解决了铁电材料与CMOS集成的关键瓶颈，在高速、低功耗神经形态计算中具有很大的研究价值和应用前景。