一种SiC外延不均匀性补偿方法及其补偿装置、SiC二极管

本发明提供了一种SiC外延不均匀性补偿方法及其补偿装置、SiC二极管，它包括以下步骤：步骤一，对SiC外延层进行全片扫描，获取外延层厚度与掺杂浓度的二维分布图，所述二维分布图反映外延层在晶圆不同区域的均匀性差异；步骤二，根据步骤一获取的二维分布图，将晶圆划分为至少两个补偿区域；步骤三，针对步骤二划分的每个补偿区域，分别设计对应的补偿参数；步骤四，基于步骤三生成的补偿参数，对晶圆不同补偿区域执行选择性工艺操作。本发明解决外延层“中心‑边缘”厚度与掺杂浓度差异问题，使器件阻断电压、导通电阻等核心性能的全片均匀性显著优化，避免边缘区域芯片性能不合格。