处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质

本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及记录介质。提供能够有效地调节吸附于衬底表面上的抑制剂的状态的技术。具有：(a)准备衬底的工序，所述衬底具有第1表面及第2表面且在所述第1表面及所述第2表面吸附有抑制剂；和b)使所述衬底暴露于处理剂，由此将吸附于所述第1表面的所述抑制剂的一部分和吸附于所述第2表面的所述抑制剂的一部分除去，并在维持由残留在所述第1表面的所述抑制剂带来的成膜阻碍效果的同时，使由残留在所述第2表面的所述抑制剂带来的成膜阻碍效果降低或无效化的工序。