碳化硅器件的制造方法

本发明提供一种碳化硅器件的制造方法，在形成体区和源区之后，先执行退火工艺，以激活体区和源区中的离子；然后，在碳化硅外延层上形成图形化的层间介质层，图形化的层间介质层中具有一开口，开口对准相邻的两个源区之间的体区和碳化硅外延层；接着，以图形化的层间介质层为掩膜，对开口底部的体区和碳化硅外延层进行第二导电类型的离子注入，以形成接触区，接触区位于相邻的两个源区之间且与源区相接触。如此，即可利用图形化的层间介质层作为接触区离子注入的掩膜，由此可节省一层掩膜，从而可实现工艺简化，并节省了工艺时间和工艺成本。