半导体器件的制造方法

在半导体器件的制造方法中，制备由比硅硬的半导体材料制成的并且具有彼此相反的第一表面（30a）和第二表面（30b）的半导体晶圆，通过研磨半导体晶圆的第二表面形成粗化层（32），将刀片按压粗化层以在半导体晶圆的表面层中形成竖直裂纹（C），在形成竖直裂纹后去除粗化层，在半导体晶圆的形成竖直裂纹的后表面（30c）上形成后表面电极（33），以及在形成后表面电极后，按压半导体晶圆的第一表面并以竖直裂纹为起始点将半导体晶圆裂开成多片。