一种提升晶片表面质量的清洗工艺

本发明涉及半导体清洗领域，公开了一种提升晶片表面质量的清洗工艺，其包括晶片预清洗及晶片终端清洗；晶片预清洗将晶片依次进行第一有机溶液清洗、纯水超声清洗、机械刷洗及第二有机溶液清洗；晶片终端清洗将晶片依次进行有机乳化溶液清洗、SPM清洗、HQDR清洗、高浓度SC1清洗、QDR清洗、SC2清洗、DHF清洗、低浓度SC1清洗、臭氧水组合清洗及甩干。本发明从清洗机理上进行清洗工艺的集成与优化，针对性更强，清洗流程更完善，具有颗粒物清洁效果更好、去除顽固污染物更彻底、微观结构双向保护等特点，晶片品质大幅提高，操作简便易行，有效降低清洗成本，具有很好的推广前景。