基板处理装置、喷射装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质

本发明提供扩大处理气体的流路面积的、涉及基板处理装置、喷射装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法及记录介质的技术。具备喷射装置，该喷射装置于在内部收纳基板的处理容器内设在上述基板的侧方，沿着与上述基板垂直的方向延伸，向上述基板喷射气体，上述喷射装置具有筒状的第1喷管和第2喷管，上述第1喷管和上述第2喷管各自具有：形成在与上述基板相面对的那一侧的平坦面；与上述平坦面的两侧分别连接的两个面；沿着与上述基板平行的方向配置在上述平坦面上、且向实质相同的方向喷射气体的多个第1喷射孔；和配置在上述两个面中的至少一个面上、且向相对于上述相同的方向倾斜的方向喷射气体的第2喷射孔。