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기록

基于数字相关双采样的光电二极管满阱容量测试方法及介质

발명유효
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

徐江涛; 敖靖华; 陈全民; 高静; 聂凯明

IPC 분류

H10P 74/20 (2026.01)H10F 39/18 (2025.01)H10F 39/00 (2025.01)

本发明公开一种基于数字相关双采样的光电二极管满阱容量测试方法及介质。光电二极管满阱容量测试方法用于对图像传感器的光电二极管满阱容量测试,包括步骤:对FD达到饱和输出状态,而光电二极管的未到达实际满阱状态、光响应曲线饱和码值达到时对应的第一照度值提取;对光电二极管达到实际满阱状态、所述光响应曲线饱和码值开始下降时的第二照度值进行提取;根据所述光响应曲线饱和码值以及第一照度值、第二照度值,结合传感器的转换增益,计算光电二极管的实际满阱容量。本发明无需改变结构和时序即可实现对光电二极管实际满阱容量的测量。